Модуль памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black Gaming Memory R7S416G2606U2K 16GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, Heat Shield, Kit (2x8GB), RTL (183122)
Модуль памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black Gaming Memory R7S416G2606U2K 16GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, Heat Shield, Kit (2x8GB), RTL (183122) 

Модуль памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black Gaming Memory R7S416G2606U2K 16GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, Heat Shield, Kit (2x8GB), RTL (183122)

  • Brand: AMD Radeon
  • Модель: R7S416G2606U2K
  • Доступность: In Stock
  • 69.24₽

  • Ex Tax: 69.24₽

Кол-во
Комплект модулей памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black Gaming Memory — это набор из двух планок оперативной памяти DDR4 общим объёмом 16 ГБ (2x8 ГБ). Основные характеристики: тип памяти: DDR4; объём одного модуля: 8 ГБ; общий объём комплекта: 16 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; форм-фактор: DIMM; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 16; напряжение питания: 1,2 В. Также в описании указано наличие теплораспределителя (Heat Shield), который помогает поддерживать оптимальную температуру работы памяти. Обратите внимание, что информация может быть неполной или содержать неточности. Для получения более подробной информации рекомендуется обратиться к официальному сайту производителя или продавца.
Основные характеристики
Тип Комплект модулей памяти
Серия Radeon R7 Performance
Модель R7S416G2606U2K
Назначение для ПК
Тип памяти Unbuffered
Форм-фактор DIMM
Стандарт памяти DDR4
Объем одного модуля, ГБ 8.0
Количество модулей в комплекте, шт 2
Суммарный объем, ГБ 16.0
Эффективная частота, МГц 2666.0
Пропускная способность, Мб/с 21300
Поддержка ECC Нет
Низкопрофильная Нет
Игровая (для геймеров) Да
Количество чипов на модуле, шт 8.0
Количество контактов 288
Прочие характеристики
Напряжение питания, В 1.2
Нормальная операционная температура, °C 85
Расширенная операционная температура, °C 95
Наличие радиатора Да
Подсветка Нет
Цвет радиатора Черный
Ширина, мм 133.35
Высота, мм 32
Вид поставки RTL
Комплект поставки Модуль памяти 2 шт, документация
Тайминги
CAS Latency (CL) 16
RAS to CAS Delay (tRCD) 18
Row Precharge Delay (tRP) 18
Activate to Precharge Delay (tRAS) 36

Будьте первым, кто оставит отзыв об этом товаре.

Написать отзыв

Примечание: HTML теги нельзя использовать!
Плохо           Отлично