Модуль памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black R744G2133U1S-U 4GB DDR4 2133 DIMM Non-ECC, CL15, 1.2V, Retail (181401)
- Brand: AMD Radeon
- Модель: R744G2133U1S-U
- Доступность: In Stock
32.33₽
- Ex Tax: 32.33₽
Модуль памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black R744G2133U1S-U — это устройство, предназначенное для улучшения производительности компьютера. Оно представляет собой модуль оперативной памяти типа DDR4 с объёмом 4 ГБ и частотой 2133 МГц.
Основные характеристики:
тип памяти: DDR4;
объём: 4 ГБ;
частота: 2133 МГц;
форм-фактор: DIMM;
пропускная способность: PC17000;
CAS Latency (CL): 15;
напряжение питания: 1,2 В.
Модуль памяти имеет стандартный форм-фактор DIMM, что позволяет использовать его в большинстве современных компьютеров. Он не поддерживает коррекцию ошибок ECC (Error Correction Code), но обеспечивает высокую скорость передачи данных и хорошую производительность.
Устройство поставляется в розничной упаковке, что делает его готовым к использованию сразу после покупки.
Обратите внимание, что перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля памяти с вашей материнской платой и другими компонентами компьютера.
| Основные характеристики | |
| Тип | Модуль памяти |
| Серия | Radeon R7 Performance |
| Модель | R744G2133U1S-U |
| Назначение | для ПК |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | DIMM |
| Стандарт памяти | DDR4 |
| Объем одного модуля, ГБ | 4.0 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
| Суммарный объем, ГБ | 4.0 |
| Эффективная частота, МГц | 2133.0 |
| Пропускная способность, Мб/с | 17000 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Игровая (для геймеров) | Нет |
| Количество чипов на модуле, шт | 8.0 |
| Количество контактов | 288 |
| Прочие характеристики | |
| Напряжение питания, В | 1.2 |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 |
| Наличие радиатора | Да |
| Подсветка | Нет |
| Цвет радиатора | Черный |
| Ширина, мм | 133.35 |
| Высота, мм | 33 |
| Вид поставки | RTL |
| Комплект поставки | Модуль памяти, документация |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 15 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 15 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 15 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 36 |

