Модуль памяти Kingston 8GB  DDR3 1600 DIMM Height 30mm KVR16N11H/8WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 2R, 4Gbit, KVR16N11H/8WP RTL (317282)
Модуль памяти Kingston 8GB  DDR3 1600 DIMM Height 30mm KVR16N11H/8WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 2R, 4Gbit, KVR16N11H/8WP RTL (317282) 

Модуль памяти Kingston 8GB DDR3 1600 DIMM Height 30mm KVR16N11H/8WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 2R, 4Gbit, KVR16N11H/8WP RTL (317282)

  • Brand: Kingston
  • Модель: KVR16N11H/8WP
  • Доступность: In Stock
  • 62.00₽

  • Ex Tax: 62.00₽

Кол-во
Модуль памяти Kingston 8GB DDR3 1600 DIMM Height 30mm KVR16N11H/8WP — это устройство, предназначенное для расширения объёма оперативной памяти компьютера. Основные характеристики: объём памяти — 8 ГБ; тип памяти — DDR3; тактовая частота — 1600 МГц; форм-фактор — DIMM; высота модуля — 30 мм; напряжение питания — 1,5 В; пропускная способность — PC12800; задержка сигнала (CAS Latency) — CL11; количество контактов — 240. Модуль не имеет поддержки коррекции ошибок (ECC) и буферизации. Он совместим с большинством современных компьютеров и может быть использован для повышения производительности системы. Обратите внимание, что перед покупкой рекомендуется проверить совместимость модуля с вашей материнской платой и другими компонентами компьютера.
Основные характеристики
Тип Модуль памяти
Серия Value
Модель KVR16N11H/8WP
Назначение для ПК
Тип памяти Unbuffered
Форм-фактор DIMM
Стандарт памяти DDR3
Объем одного модуля, ГБ 8.0
Количество модулей в комплекте, шт 1
Суммарный объем, ГБ 8.0
Эффективная частота, МГц 1600.0
Пропускная способность, Мб/с 12800
Поддержка ECC Нет
Низкопрофильная Нет
Игровая (для геймеров) Нет
Количество ранков 2.0
Количество чипов на модуле, шт 16.0
Количество контактов 240
Прочие характеристики
Напряжение питания, В 1.5
Максимальная потребляемая мощность, Вт 2.58
Нормальная операционная температура, °C 85
Расширенная операционная температура, °C 95
Наличие радиатора Нет
Подсветка Нет
Ширина, мм 133.35
Высота, мм 30
Вид поставки RTL
Комплект поставки Модуль памяти, документация
Тайминги
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Activate to Precharge Delay (tRAS) 27

Будьте первым, кто оставит отзыв об этом товаре.

Написать отзыв

Примечание: HTML теги нельзя использовать!
Плохо           Отлично