Модуль памяти Kingston 8GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11/8WP Non-ECC, Unbuffered, CL11, 1.5V, 2R, 4Gbit, RTL (317299)
- Brand: Kingston
- Модель: KVR16S11/8WP
- Доступность: In Stock
99.00₽
- Ex Tax: 99.00₽
Модуль памяти Kingston 8GB DDR3 1600 SODIMM KVR16S11/8WP — это устройство, предназначенное для расширения объёма оперативной памяти в ноутбуках и других устройствах с разъёмом SODIMM.
Основные характеристики:
объём памяти — 8 ГБ;
тип памяти — DDR3;
тактовая частота — 1600 МГц;
форм-фактор — SODIMM;
пропускная способность — PC12800;
CAS Latency (CL) — CL11;
напряжение питания — 1,5 В;
количество контактов — 204-pin;
технология производства — Non-ECC, Unbuffered;
скорость передачи данных — 12800 МБ/с;
ширина шины — 64 бит;
ёмкость чипа — 4 Гбит.
Модуль памяти соответствует стандарту JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), что гарантирует совместимость с большинством современных систем.
Обратите внимание, что характеристики могут незначительно отличаться от указанных в зависимости от партии товара. Перед покупкой рекомендуется проверить информацию на официальном сайте производителя.
| Основные характеристики | |
| Тип | Модуль памяти |
| Серия | Value |
| Модель | KVR16S11/8WP |
| Назначение | для ноутбуков |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | SODIMM |
| Стандарт памяти | DDR3 |
| Объем одного модуля, ГБ | 8.0 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
| Суммарный объем, ГБ | 8.0 |
| Эффективная частота, МГц | 1600.0 |
| Пропускная способность, Мб/с | 12800 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Игровая (для геймеров) | Нет |
| Количество ранков | 2.0 |
| Количество чипов на модуле, шт | 16.0 |
| Количество контактов | 204 |
| Прочие характеристики | |
| Напряжение питания, В | 1.5 |
| Максимальная потребляемая мощность, Вт | 2.58 |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 |
| Наличие радиатора | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Ширина, мм | 69.6 |
| Высота, мм | 30 |
| Вид поставки | RTL |
| Комплект поставки | Модуль памяти, документация |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 27 |

