Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, RTL {25} (282733)
Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, RTL {25} (282733) 

Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, RTL {25} (282733)

  • Brand: Kingston
  • Модель: KVR26N19S6/4
  • Доступность: In Stock
  • 21.45₽

  • Ex Tax: 21.45₽

Кол-во
Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, RTL {25} (282733) — это модуль оперативной памяти объёмом 4 ГБ, который предназначен для использования в настольных компьютерах и серверах. Основные характеристики: тип памяти: DDR4; объём: 4 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; форм-фактор: DIMM; количество контактов: 288; пропускная способность: PC21300; CAS Latency (CL): 19; напряжение питания: 1,2 В; конфигурация чипов: 1Rx16. Модуль памяти имеет стандартный форм-фактор DIMM, что позволяет использовать его в большинстве современных материнских плат. Он также совместим с процессорами Intel и AMD, которые поддерживают память DDR4. CAS Latency (CL) — это задержка между запросом на чтение данных из памяти и моментом их фактического получения. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память. В данном модуле памяти CL составляет 19. Это означает, что данные будут получены через 19 тактов после запроса. Напряжение питания модуля памяти составляет 1,2 В. Это стандартное напряжение для памяти DDR4, которое обеспечивает её стабильную работу. Конфигурация чипов 1Rx16 означает, что модуль памяти содержит один ряд чипов и шестнадцать банков. Это обеспечивает высокую производительность и надёжность работы памяти. Данный модуль памяти является отличным выбором для тех, кто ищет недорогую и качественную оперативную память для своего компьютера или сервера.
Основные характеристики
Тип Модуль памяти
Серия Value RAM
Модель KVR26N19S6/4
Назначение для ПК
Тип памяти Unbuffered
Форм-фактор DIMM
Стандарт памяти DDR4
Объем одного модуля, ГБ 4.0
Количество модулей в комплекте, шт 1
Суммарный объем, ГБ 4.0
Эффективная частота, МГц 2666.0
Пропускная способность, Мб/с 21300
Поддержка ECC Нет
Низкопрофильная Нет
Игровая (для геймеров) Нет
Количество ранков 1.0
Разрядность чипов x16
Количество чипов на модуле, шт 4.0
Количество контактов 288
Прочие характеристики
Напряжение питания, В 1.2
Нормальная операционная температура, °C 85
Расширенная операционная температура, °C 95
Наличие радиатора Нет
Подсветка Нет
Ширина, мм 133.35
Высота, мм 31.25
Вид поставки RTL
Комплект поставки Модуль памяти, документация
Тайминги
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Activate to Precharge Delay (tRAS) 40

Будьте первым, кто оставит отзыв об этом товаре.

Написать отзыв

Примечание: HTML теги нельзя использовать!
Плохо           Отлично