Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, RTL {25} (282733)
- Brand: Kingston
- Модель: KVR26N19S6/4
- Доступность: In Stock
21.45₽
- Ex Tax: 21.45₽
Модуль памяти Kingston KVR26N19S6/4 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL19, 1.2V, 1Rx16, RTL {25} (282733) — это модуль оперативной памяти объёмом 4 ГБ, который предназначен для использования в настольных компьютерах и серверах.
Основные характеристики:
тип памяти: DDR4;
объём: 4 ГБ;
тактовая частота: 2666 МГц;
форм-фактор: DIMM;
количество контактов: 288;
пропускная способность: PC21300;
CAS Latency (CL): 19;
напряжение питания: 1,2 В;
конфигурация чипов: 1Rx16.
Модуль памяти имеет стандартный форм-фактор DIMM, что позволяет использовать его в большинстве современных материнских плат. Он также совместим с процессорами Intel и AMD, которые поддерживают память DDR4.
CAS Latency (CL) — это задержка между запросом на чтение данных из памяти и моментом их фактического получения. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память. В данном модуле памяти CL составляет 19. Это означает, что данные будут получены через 19 тактов после запроса.
Напряжение питания модуля памяти составляет 1,2 В. Это стандартное напряжение для памяти DDR4, которое обеспечивает её стабильную работу.
Конфигурация чипов 1Rx16 означает, что модуль памяти содержит один ряд чипов и шестнадцать банков. Это обеспечивает высокую производительность и надёжность работы памяти.
Данный модуль памяти является отличным выбором для тех, кто ищет недорогую и качественную оперативную память для своего компьютера или сервера.
| Основные характеристики | |
| Тип | Модуль памяти |
| Серия | Value RAM |
| Модель | KVR26N19S6/4 |
| Назначение | для ПК |
| Тип памяти | Unbuffered |
| Форм-фактор | DIMM |
| Стандарт памяти | DDR4 |
| Объем одного модуля, ГБ | 4.0 |
| Количество модулей в комплекте, шт | 1 |
| Суммарный объем, ГБ | 4.0 |
| Эффективная частота, МГц | 2666.0 |
| Пропускная способность, Мб/с | 21300 |
| Поддержка ECC | Нет |
| Низкопрофильная | Нет |
| Игровая (для геймеров) | Нет |
| Количество ранков | 1.0 |
| Разрядность чипов | x16 |
| Количество чипов на модуле, шт | 4.0 |
| Количество контактов | 288 |
| Прочие характеристики | |
| Напряжение питания, В | 1.2 |
| Нормальная операционная температура, °C | 85 |
| Расширенная операционная температура, °C | 95 |
| Наличие радиатора | Нет |
| Подсветка | Нет |
| Ширина, мм | 133.35 |
| Высота, мм | 31.25 |
| Вид поставки | RTL |
| Комплект поставки | Модуль памяти, документация |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 40 |

